Samsung et SK hynix modernisent leurs usines chinoises pour produire des NAND plus avancées, selon Reuters

Samsung Electronics et SK hynix modernisent leurs usines en Chine pour fabriquer des puces mémoire NAND plus avancées, rapporte Reuters le 21 octobre 2026, en citant des personnes au fait du dossier. Les deux groupes confirment que des mises à niveau sont en cours.

Xi'an chez Samsung

L'usine, qui assure environ 40 % de la production mondiale de NAND de Samsung avec des puces d'environ 200 couches, doit passer à du NAND V9 de 286 couches d'ici 2027. Le projet « Monami » vise 5 000 plaquettes par mois en décembre 2026, puis 40 000 en décembre 2027.

Dalian chez SK hynix

Le site passe de 192 couches à au moins 240 couches. SK hynix y est autorisé à produire jusqu'à 240 couches et peut demander l'accord des États-Unis pour de la R&D au-delà de 300. Dalian est l'unique usine NAND de Solidigm, filiale rachetée à Intel en 2021, qui prépare une introduction en bourse aux États-Unis.

Le cadre américain

Les groupes sud-coréens doivent obtenir des licences annuelles pour installer certains équipements américains dans leurs usines chinoises, et Washington avait indiqué en 2025 ne pas vouloir en accorder pour des mises à niveau technologiques ou des extensions de capacité. Reuters n'a pas pu établir jusqu'où ces licences ont été accordées. Samsung assure respecter les règles d'exportation américaines et ne pas augmenter ses capacités ; les deux groupes disent consulter étroitement Washington.

Ce qui motive la manœuvre

Reuters cite la concurrence du chinois YMTC et la hausse de la demande des centres de données d'IA. Toutes les mises à niveau rapportées concernent la NAND, pas la DRAM.

Sources

• Reuters (via Investing.com)